HBM5 시대 열릴까? 삼성·SK, SEDEX서 기술 맞대결

오는 14~16일 코엑스서 SEDEX 2026 개최지난해 HBM4 이어 HBM4E·HBM5 개발 성과 주목송재혁 삼성 CTO·안현 하이닉스 사장 키노트 연설

삼성전자 zHBM 목업. 사진=삼성전자 제공

삼성전자와 SK하이닉스가 국내 최대 반도체 전시회에서 차세대 반도체 기술력을 다시 맞댄다. 지난해 HBM4 실물을 나란히 공개했던 자리인 만큼 올해는 양사가 어떤 차세대 제품과 기술을 선보일지가 관심사다. HBM4E를 넘어 HBM5로 이어지는 차세대 메모리 경쟁이 전시회에서도 본격적으로 부각될 전망이다.

5일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 오는 14일부터 16일까지 서울 코엑스에서 열리는 'SEDEX 2026'에 참가한다. SEDEX는 메모리와 시스템반도체를 비롯해 장비·부품·소재 기업 등이 참여하는 국내 최대 규모의 반도체 전문 전시회다.

올해 SEDEX에서는 HBM4 이후 차세대 제품 경쟁이 핵심 볼거리로 꼽힌다. 지난해 삼성전자와 SK하이닉스가 HBM4 12단 실물을 국내에서 처음 나란히 공개했다면 올해는 HBM4E와 HBM5 개발 성과를 얼마나 구체적으로 선보일지가 관심사다.

삼성전자가 앞서 공개한 HBM5 목업보다 진전된 결과물을 내놓을지, SK하이닉스가 TSMC와 공동 개발하고 있는 차세대 제품의 새로운 성과를 공개할지도 주목된다.

삼성전자는 차세대 HBM 제품 개발에 속도를 내고 있다. 지난 5월에는 12단 HBM4E 샘플을 주요 글로벌 고객사에 공급했다. HBM4E는 최대 핀당 16Gbps의 속도를 지원하며 AI 가속기의 성능과 전력 효율을 높이는 데 초점을 맞춘 제품이다.

차차세대 제품 개발에도 나서고 있다. 삼성전자는 지난 8월 미국에서 열린 'FMS 2026'에서 HBM4E와 함께 HBM5 목업을 공개했다. 메모리를 가속기 위에 수직으로 쌓는 차세대 3D 메모리 구조인 'zHBM'도 처음 선보이며 차세대 메모리 기술 경쟁에서 새로운 방향을 제시했다.

SK하이닉스도 HBM4E 개발에 속도를 내고 있다. 지난 6월 12단 HBM4E 샘플을 주요 고객사에 공급했다. 최대 핀당 속도는 16Gbps로 HBM4 대비 전력 효율을 20% 이상 높였으며, 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해 열 저항도 낮췄다.

HBM5에서는 TSMC와의 협력을 강화하고 있다. SK하이닉스는 최근 미국에서 열린 TSMC 오픈이노베이션플랫폼(OIP) 행사에서 TSMC의 첨단 패키징 기술인 CoWoS를 기반으로 HBM5를 공동 검증한 성과를 공개했다. 차세대 HBM에서 메모리 성능뿐 아니라 패키징 기술과의 결합이 중요해지는 만큼 양사의 협력도 주목받고 있다.

양사 경영진도 직접 무대에 오른다. 행사 첫날 송재혁 삼성전자 DS부문 최고기술책임자(CTO) 사장과 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장 등이 키노트 연사로 나서 AI 반도체와 차세대 메모리 전략을 소개할 예정이다.

실무진들의 기술 발표도 이어진다. 삼성전자와 SK하이닉스 엔지니어들은 별도 세션을 통해 거대언어모델(LLM)의 추론 성능을 높이는 기술과 LPDDR6를 비롯한 저전력 메모리 기술 등을 소개한다.

업계에서는 지난해 HBM4 실물을 나란히 공개했던 삼성전자와 SK하이닉스가 올해는 HBM4E를 넘어 HBM5 등 차세대 메모리 기술 경쟁을 어떻게 보여줄지에 관심이 쏠리고 있다. 특히 AI 반도체 시장이 고성능·저전력 메모리와 첨단 패키징 기술을 동시에 요구하고 있는 만큼 이번 전시회가 양사의 차세대 메모리 전략을 가늠하는 자리가 될 것으로 전망된다.