中 CXMT, 차세대 '4F²' D램 시제품 검증···연내 고객사 공급

연내 서버용 DDR5 샘플 공급···고객사 검증 후 양산 추진

6F²보다 집적도 높인 차세대 기술···삼성·SK도 개발 속도

중국 베이징 외곽 창신메모리테크놀로지(CXMT) 공장 전경. 사진=AFP/연합뉴스

중국 메모리업체 창신메모리(CXMT)가 차세대 D램 기술인 '4F²' 아키텍처를 적용한 시제품 검증을 마쳤다. 연내 서버용 제품 샘플을 고객사에 공급할 계획으로 삼성전자와 SK하이닉스가 주도하는 D램 시장에서 중국 업체의 기술 추격이 이어지고 있다.

1일 펑파이와 글로벌타임스 등 중국 매체에 따르면 CXMT는 지난달 30일 3분기 실적 발표를 통해 4F² 기반 6세대 D램 공정 플랫폼의 엔지니어링 샘플(ES) 검증을 완료했다고 밝혔다.

엔지니어링 샘플은 제품 양산에 앞서 성능 등을 확인하기 위해 제작하는 시제품이다. CXMT는 이번 검증을 통해 실제 웨이퍼에서 플랫폼의 핵심 성능 목표를 달성했다고 설명했다. 향후 고객사 검증을 거쳐 양산을 단계적으로 추진할 계획이다.

CXMT는 연내 4F² 아키텍처를 적용한 첫 서버용 메모리 제품인 'DDR5 RDIMM' 샘플을 고객사에 공급할 예정이다. 집적도 요구가 높은 서버용 제품에 우선 적용한 뒤 다른 제품군으로 적용 범위를 확대한다는 방침이다. 다만 구체적인 양산 시점은 고객사 검증 진행 상황과 시장 수요에 따라 결정할 예정이다.

4F²는 D램 셀 하나가 차지하는 면적을 줄여 집적도를 높이는 기술이다. 반도체 제조 공정에서 구현할 수 있는 최소 선폭을 'F'라고 하는데 4F²는 메모리 셀 하나의 크기가 F 제곱의 4배라는 의미다. 현재 D램에 주로 적용되는 6F²보다 셀 면적을 줄일 수 있어 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다.

삼성전자와 SK하이닉스도 D램 집적도를 높이기 위한 4F² 기술을 개발하고 있다. SK하이닉스는 최근 실적 발표에서 양산 안정성과 원가 경쟁력을 확보한 6F² 플랫폼을 최대한 활용하는 동시에 향후 4F²로 전환하기 위한 기술 개발을 병행하겠다는 방침을 밝힌 바 있다.